русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > IMB4AT110
IMB4AT110
IMB4AT110
Тип продуктов:
IMB4AT110
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
41356 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IMB4AT110.pdf
запрос

Введение

IMB4AT110 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IMB4AT110, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IMB4AT110 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IMB4AT110 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Тип транзистор:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:SMT6
Серии:-
Резистор - основание эмиттера (R2):-
Резистор - основание (R1):10 kOhms
Мощность - Макс:300mW
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:SC-74, SOT-457
Другие названия:IMB4AT110-ND
IMB4AT110TR
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход:250MHz
Подробное описание:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):-
Ток - коллектор (Ic) (Макс):100mA
Номер базового номера:MB4
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IMB4AT110

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IMB36652C Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M запрос
IMBD4148-E3-18 Image IMBD4148-E3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB36654M8 Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 запрос
IMB36652M8 Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 запрос
IMBD4148-HE3-18 Image IMBD4148-HE3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB36654M12 Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 запрос
IMB9AT110 Image IMB9AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 запрос
IMB3AT110 Image IMB3AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 запрос
IMBD4148-G3-08 Image IMBD4148-G3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB7AT108 Image IMB7AT108 LAPIS Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 запрос
IMB5AT108 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74 запрос
IMB36656M12 Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 запрос
IMB36656M8 Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 запрос
IMBD4148-E3-08 Image IMBD4148-E3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB36654C Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M запрос
IMBD4148-G3-18 Image IMBD4148-G3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMBD4448-E3-08 Image IMBD4448-E3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB36652M12 Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 запрос
IMBD4148-HE3-08 Image IMBD4148-HE3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 запрос
IMB36656C Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M запрос

Latest Новости