IKW75N60H3FKSA1 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IKW75N60H3FKSA1, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IKW75N60H3FKSA1 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IKW75N60H3FKSA1 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
IKW75N60H3FKSA1
- Тип продуктов:
- IKW75N60H3FKSA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- IGBT 600V 80A 428W TO247-3
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 24576 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- IKW75N60H3FKSA1.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 600V |
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic: | 2.3V @ 15V, 75A |
| режим для испытаний: | 400V, 75A, 5.2 Ohm, 15V |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C: | 31ns/265ns |
| Переключение энергии: | 3mJ (on), 1.7mJ (off) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO247-3 |
| Серии: | TrenchStop® |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 190ns |
| Мощность - Макс: | 428W |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-247-3 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 52 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип ввода: | Standard |
| Тип IGBT: | Trench Field Stop |
| Заряд затвора: | 470nC |
| Подробное описание: | IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole PG-TO247-3 |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM): | 225A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 80A |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IKW75N60H3FKSA1
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки