IDT70P3537S250RM теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IDT70P3537S250RM, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IDT70P3537S250RM по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IDT70P3537S250RM с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
IDT70P3537S250RM
- Тип продуктов:
- IDT70P3537S250RM
- производитель:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Описание:
- IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA
- Бессвинцовый статус:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Количество на складе:
- 40609 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- IDT70P3537S250RM.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Время цикла записи - слово, страница: | - |
| Напряжение тока - поставка: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Технологии: | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
| Поставщик Упаковка устройства: | 576-FCBGA (25x25) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 576-BBGA, FCBGA |
| Другие названия: | 70P3537S250RM |
| Рабочая Температура: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 18Mb (512K x 36) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 6.3ns 576-FCBGA (25x25) |
| Тактовая частота: | 250MHz |
| Номер базового номера: | IDT70P3537 |
| Время доступа: | 6.3ns |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IDT70P3537S250RM
Latest Новости
- Qorvo запустил выдающиеся предварительные предварительные условия в отрасли 5G MMIMO
- Инвентаризация цикла моделирования в итоге
- План Micron по строительству завода, флэш -памяти NAND по высоким ценам или обслуживанию
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК