HIP6004ECBZ теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для HIP6004ECBZ, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для HIP6004ECBZ по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить HIP6004ECBZ с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
HIP6004ECBZ
- Тип продуктов:
- HIP6004ECBZ
- производитель:
- Intersil
- Описание:
- IC PWM CTRLR/VOLT OUT MON 20SOIC
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 53953 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- HIP6004ECBZ.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - Выход: | 1.05 V ~ 1.825 V |
| Напряжение - Вход: | 5V, 12V |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая Температура: | 0°C ~ 70°C |
| Количество выходов: | 1 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | - Controller, Intel VRM8.5 Voltage Regulator IC 1 Output |
| Номер базового номера: | HIP6004E |
| Приложения: | Controller, Intel VRM8.5 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для HIP6004ECBZ
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
HIP6006CB | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MODE 14SOIC | запрос |
|
HIP6006CB-T | Intersil | IC CNTRLR PWM BUCK SYNC 14-SOIC | запрос |
 |
HIP6004DCRZ-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-QFN | запрос |
 |
HIP6006CV | Intersil | IC CTRLR PWM VOLT MODE 14-TSSOP | запрос |
|
HIP6004DCBZ | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC | запрос |
 |
HIP6004ECV-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP | запрос |
|
HIP6004DCRZ | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-QFN | запрос |
|
HIP6004ECB-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC | запрос |
|
HIP6004ECVZ-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP | запрос |
|
HIP6004DCBZ-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC | запрос |
|
HIP6004ECBZ-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC | запрос |
|
HIP6004ECB | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC | запрос |
|
HIP6006CBZ-T | Intersil | IC CTRLR PWM BUCK SYNC 14-SOIC | запрос |
|
HIP6004DCR | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-QFN | запрос |
|
HIP6006CBZ | Intersil | IC PWM CTRLR/VOLT OUT MON 14SOIC | запрос |
|
HIP6004DCB-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC | запрос |
|
HIP6004ECVZ | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP | запрос |
|
HIP6004DCR-T | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-QFN | запрос |
|
HIP6004ECV | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP | запрос |
|
HIP6004DCB | Intersil | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC | запрос |
Latest Новости
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора
- X-FAB вводит технологию освещения датчика изображения для повышения производительности датчика CMOS