FQI15P12TU
FQI15P12TU
Тип продуктов:
FQI15P12TU
производитель:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Описание:
MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
33147 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
FQI15P12TU.pdf

Введение

FQI15P12TU теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для FQI15P12TU, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для FQI15P12TU по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить FQI15P12TU с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:I2PAK (TO-262)
Серии:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 7.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):3.75W (Ta), 100W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1100pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:38nC @ 10V
Тип FET:P-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):120V
Подробное описание:P-Channel 120V 15A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости