FQB9N25CTM
FQB9N25CTM
Тип продуктов:
FQB9N25CTM
производитель:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
35849 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
FQB9N25CTM.pdf

Введение

FQB9N25CTM теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для FQB9N25CTM, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для FQB9N25CTM по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить FQB9N25CTM с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:D²PAK (TO-263AB)
Серии:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:430 mOhm @ 4.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):3.13W (Ta), 74W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:710pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:35nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):250V
Подробное описание:N-Channel 250V 8.8A (Tc) 3.13W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:8.8A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости