FJN4305RTA теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для FJN4305RTA, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для FJN4305RTA по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить FJN4305RTA с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
FJN4305RTA
- Тип продуктов:
- FJN4305RTA
- производитель:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Описание:
- TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 50413 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- FJN4305RTA.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Тип транзистор: | PNP - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-92-3 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 10 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 4.7 kOhms |
| Мощность - Макс: | 300mW |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Другие названия: | FJN4305RTACT |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 7 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 200MHz |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Номер базового номера: | FJN4305 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для FJN4305RTA
Latest Новости
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти