F3L15R12W2H3B27BOMA1 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для F3L15R12W2H3B27BOMA1, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для F3L15R12W2H3B27BOMA1 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить F3L15R12W2H3B27BOMA1 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
F3L15R12W2H3B27BOMA1
- Тип продуктов:
- F3L15R12W2H3B27BOMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- IGBT MODULE VCES 1200V 15A
- Количество на складе:
- 44472 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- F3L15R12W2H3B27BOMA1.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 1200V |
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 15A |
| Поставщик Упаковка устройства: | Module |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 145W |
| Упаковка /: | Module |
| Другие названия: | F3L15R12W2H3_B27 F3L15R12W2H3_B27-ND SP001055068 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C |
| NTC термистора: | Yes |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Входная емкость (Cies) @ Vce: | 875pF @ 25V |
| вход: | Standard |
| Тип IGBT: | - |
| Подробное описание: | IGBT Module 3 Independent 1200V 20A 145W Chassis Mount Module |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 1mA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 20A |
| конфигурация: | 3 Independent |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для F3L15R12W2H3B27BOMA1
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки