CY7C2663KV18-450BZI теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для CY7C2663KV18-450BZI, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для CY7C2663KV18-450BZI по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить CY7C2663KV18-450BZI с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
CY7C2663KV18-450BZI
- Тип продуктов:
- CY7C2663KV18-450BZI
- производитель:
- Cypress Semiconductor
- Описание:
- IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
- Бессвинцовый статус:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Количество на складе:
- 31330 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- CY7C2663KV18-450BZI.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Время цикла записи - слово, страница: | - |
| Напряжение тока - поставка: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Технологии: | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| Поставщик Упаковка устройства: | 165-FBGA (15x17) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 165-LBGA |
| Другие названия: | CY7C2663KV18450BZI |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 144Mb (8M x 18) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Стандартное время изготовления: | 15 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 144Mb (8M x 18) Parallel 450MHz 165-FBGA (15x17) |
| Тактовая частота: | 450MHz |
| Номер базового номера: | CY7C2663 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CY7C2663KV18-450BZI
Latest Новости
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти