CIGW252010GL4R7MNE теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для CIGW252010GL4R7MNE, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для CIGW252010GL4R7MNE по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить CIGW252010GL4R7MNE с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
CIGW252010GL4R7MNE
- Тип продуктов:
- CIGW252010GL4R7MNE
- производитель:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Описание:
- FIXED IND 4.7UH 1.4A 216MOHM
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 58143 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- CIGW252010GL4R7MNE.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Тип: | Wirewound |
| Толерантность: | ±20% |
| Поставщик Упаковка устройства: | 1008 (2520 Metric) |
| Размер / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| экранирование: | Unshielded |
| Серии: | CIGW |
| Рейтинги: | - |
| Q @ Freq: | - |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | 1008 (2520 Metric) |
| Другие названия: | 1276-6935-1 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 125°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Материал - Core: | Metal Composite |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - индуктивность: | 1MHz |
| индуктивность: | 4.7µH |
| Высота - Сидящая (Макс): | 0.039" (1.00mm) |
| Частота - Self Резонансное: | - |
| Особенности: | - |
| Подробное описание: | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 216 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Сопротивление постоянному току (DCR): | 216 mOhm Max |
| Текущий рейтинг: | 1.4A |
| Ток - Насыщенность: | 1.7A |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CIGW252010GL4R7MNE
Latest Новости
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти