BFR193L3E6327XTMA1 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для BFR193L3E6327XTMA1, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для BFR193L3E6327XTMA1 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить BFR193L3E6327XTMA1 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
BFR193L3E6327XTMA1
- Тип продуктов:
- BFR193L3E6327XTMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- TRANSISTOR RF NPN 12V TSLP-3
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 45598 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- BFR193L3E6327XTMA1.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 12V |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TSLP-3-1 |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 580mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SC-101, SOT-883 |
| Другие названия: | BFR 193L3 E6327 BFR 193L3 E6327-ND BFR 193L3 E6327TR-ND BFR193L3E6327XT BFR193L3E6327XTMA1TR SP000013557 |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Коэффициент шума (дБ Typ @ F): | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Усиление: | 12.5dB ~ 19dB |
| Частота - Переход: | 8GHz |
| Подробное описание: | RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSLP-3-1 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 30mA, 8V |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 80mA |
| Номер базового номера: | BFR193 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для BFR193L3E6327XTMA1
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки