BD82001FVJ-E2 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для BD82001FVJ-E2, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для BD82001FVJ-E2 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить BD82001FVJ-E2 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
BD82001FVJ-E2
- Тип продуктов:
- BD82001FVJ-E2
- производитель:
- LAPIS Semiconductor
- Описание:
- IC HIGH SIDE SWITCH 1CH 8-TSSOP
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 59496 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.BD82001FVJ-E2.pdf2.BD82001FVJ-E2.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение тока - поставка (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Напряжение - Нагрузка: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Тип переключателя: | USB Switch |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-TSSOP-BJ |
| Серии: | - |
| Rds On (Тип): | 70 mOhm |
| Коэффициент - Входное напряжение: Выходной: | 1:1 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Тип выхода: | N-Channel |
| Выходная конфигурация: | High Side |
| Другие названия: | BD82001FVJ-E2-ND BD82001FVJ-E2TR BD82001FVJE2 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Количество выходов: | 1 |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 9 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Интерфейс: | On/Off |
| Тип ввода: | Non-Inverting |
| Особенности: | Slew Rate Controlled, Status Flag |
| Защита от сбоев: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO |
| Ток - Выходной (Макс): | 1A |
| Номер базового номера: | BD82001 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для BD82001FVJ-E2
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки