APTM20UM04SAG теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для APTM20UM04SAG, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для APTM20UM04SAG по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить APTM20UM04SAG с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
APTM20UM04SAG
- Тип продуктов:
- APTM20UM04SAG
- производитель:
- Microsemi
- Описание:
- MOSFET N-CH 200V 417A SP6
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 35358 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.APTM20UM04SAG.pdf2.APTM20UM04SAG.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 10mA |
| Vgs (макс.): | ±30V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SP6 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 208.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 1560W (Tc) |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SP6 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 32 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 28800pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 560nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 200V |
| Подробное описание: | N-Channel 200V 417A (Tc) 1560W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 417A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для APTM20UM04SAG
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50AM24SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | запрос |
 |
APTM20TAM16FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P | запрос |
 |
APTM50AM24SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | запрос |
|
APTM50AM25FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 | запрос |
|
APTM20HM16FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4 | запрос |
 |
APTM20SKM04G | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | запрос |
|
APTM20UM09SG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 195A J3 | запрос |
|
APTM50A15FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 | запрос |
|
APTM20UM05SG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 317A J3 | запрос |
 |
APTM50AM35FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 | запрос |
|
APTM20SKM08TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | запрос |
 |
APTM20UM03FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 580A SP6 | запрос |
|
APTM50AM19FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 | запрос |
|
APTM20SKM10TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | запрос |
|
APTM20HM20FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | запрос |
|
APTM20TDUM16PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P | запрос |
|
APTM20HM20STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | запрос |
|
APTM50AM17FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 | запрос |
|
APTM50AM19STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 | запрос |
|
APTM20SKM05G | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | запрос |
Latest Новости
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился