APTM100DAM90G теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для APTM100DAM90G, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для APTM100DAM90G по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить APTM100DAM90G с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
APTM100DAM90G
- Тип продуктов:
- APTM100DAM90G
- производитель:
- Microsemi
- Описание:
- MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 20303 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.APTM100DAM90G.pdf2.APTM100DAM90G.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 10mA |
| Vgs (макс.): | ±30V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SP6 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 39A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 1250W (Tc) |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SP6 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 32 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 20700pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 744nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 1000V |
| Подробное описание: | N-Channel 1000V 78A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 78A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для APTM100DAM90G
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | запрос |
 |
APTM100H45STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | запрос |
|
APTM100DUM90G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | запрос |
|
APTM100A23STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | запрос |
|
APTM100DSK35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | запрос |
|
APTM100A40FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | запрос |
|
APTM100DA40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | запрос |
|
APTM100DA18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | запрос |
|
APTM100H35FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 | запрос |
|
APTM100H45FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 | запрос |
|
APTM100DA18CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | запрос |
 |
APTM100H45SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | запрос |
|
APTM100A23SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | запрос |
|
APTM100DA18T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | запрос |
|
APTM100DU18TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | запрос |
 |
APTM100H18FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 | запрос |
|
APTM100DDA35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | запрос |
|
APTM100A46FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | запрос |
 |
APTM100AM90FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | запрос |
|
APTM100DA33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | запрос |
Latest Новости
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился