русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT84M50B2
APT84M50B2
APT84M50B2
Тип продуктов:
APT84M50B2
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
52854 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
1.APT84M50B2.pdf2.APT84M50B2.pdf
запрос

Введение

APT84M50B2 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для APT84M50B2, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для APT84M50B2 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить APT84M50B2 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:T-MAX™ [B2]
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:65 mOhm @ 42A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):1135W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3 Variant
Другие названия:APT84M50B2MI
APT84M50B2MI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:13500pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:340nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):500V
Подробное описание:N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT84M50B2

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT84F50B2 Image APT84F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 84A TO-247 запрос
APT85GR120B2 Image APT85GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 170A 962W TO247 запрос
APT80SM120J Microsemi POWER MOSFET - SIC запрос
APT80SM120B Microsemi POWER MOSFET - SIC запрос
APT8M80K Microsemi MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 запрос
APT80GA90B Image APT80GA90B Microsemi IGBT 900V 145A 625W TO247 запрос
APT85GR120L Image APT85GR120L Microsemi IGBT 1200V 170A 962W TO264 запрос
APT80GA60LD40 Image APT80GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 143A 625W TO264 запрос
APT80GP60J Image APT80GP60J Microsemi IGBT 600V 151A 462W SOT227 запрос
APT84F50L Image APT84F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 запрос
APT80GA90LD40 Image APT80GA90LD40 Microsemi IGBT 900V 145A 625W TO-264 запрос
APT85GR120JD60 Image APT85GR120JD60 Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP запрос
APT8M100B Image APT8M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 запрос
APT94N60L2C3G Image APT94N60L2C3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 94A TO264 запрос
APT8DQ60KCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 запрос
APT85GR120J Image APT85GR120J Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP запрос
APT80M60J Image APT80M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 запрос
APT80SM120S Microsemi POWER MOSFET - SIC запрос
APT84M50L Image APT84M50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 запрос
APT90DR160HJ Image APT90DR160HJ Microsemi DIODE MODULE 1.6V SOT227 запрос

Latest Новости