28M0079-000 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для 28M0079-000, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для 28M0079-000 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить 28M0079-000 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
28M0079-000
- Тип продуктов:
- 28M0079-000
- производитель:
- Laird Technologies
- Описание:
- ROD,SLD,BB,CSNO 10X2MM
- Количество на складе:
- 25009 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 28M0079-000.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Серии: | * |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | Not Applicable |
| Стандартное время изготовления: | 11 Weeks |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для 28M0079-000
Latest Новости
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора
- X-FAB вводит технологию освещения датчика изображения для повышения производительности датчика CMOS