1N5809US теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для 1N5809US, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для 1N5809US по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить 1N5809US с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
1N5809US
- Тип продуктов:
- 1N5809US
- производитель:
- Semtech
- Описание:
- DIODE GEN PURP 100V 6A
- Количество на складе:
- 20187 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1N5809US.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 875mV @ 4A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 100V |
| Поставщик Упаковка устройства: | - |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 30ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SQ-MELF |
| Другие названия: | 1N5809USS |
| Рабочая температура - Соединение: | - |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Стандартное время изготовления: | 46 Weeks |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 100V 6A Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 5µA @ 100V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 6A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 60pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для 1N5809US
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | запрос |
 |
1N5807 | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | запрос |
 |
1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | запрос |
|
1N5806US | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 1.1A | запрос |
|
1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | запрос |
 |
1N5806US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | запрос |
|
1N5811US | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A | запрос |
 |
1N5811C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | запрос |
|
1N5809 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | запрос |
 |
1N5811TR | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | запрос |
|
1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | запрос |
 |
1N5808 | Microsemi | DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG | запрос |
 |
1N5806TR | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | запрос |
|
1N5811 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | запрос |
|
1N5807US | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 6A | запрос |
|
1N5813 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | запрос |
|
1N5809US.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A | запрос |
 |
1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | запрос |
 |
1N5812 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | запрос |
|
1N5812R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | запрос |
Latest Новости
- План Micron по строительству завода, флэш -памяти NAND по высоким ценам или обслуживанию
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти