ZXMN6A09DN8TA
ZXMN6A09DN8TA
Modelo do Produto:
ZXMN6A09DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
50078 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
ZXMN6A09DN8TA.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 8.2A, 10V
Power - Max:1.25W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:ZXMN6A09DN8TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1407pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:24.2nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.3A
Email:[email protected]

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