Y4485V0458BA9W está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para Y4485V0458BA9W, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para Y4485V0458BA9W por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre Y4485V0458BA9W com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
Y4485V0458BA9W
- Modelo do Produto:
- Y4485V0458BA9W
- Fabricante:
- Vishay Precision Group
- Descrição:
- DSMZ 2K/1K5 TCR0.2 B A S W
- Quantidade em estoque:
- 29281 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- Y4485V0458BA9W.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±0.1% |
| Coeficiente de temperatura: | ±0.2ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 0.160" L x 0.106" W (4.06mm x 2.69mm) |
| Série: | DSMZ |
| Resistência-Ratio-Drift: | ±0.1 ppm/°C |
| Relação de Correspondência do Resistor: | ±0.05% |
| Resistência (Ohms): | 1.5k, 2k |
| Poder por elemento: | 50mW |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 1610 J-Lead (3 Terminals) |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 125°C |
| Número de resistores: | 2 |
| Número de pinos: | 2 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 28 Weeks |
| Altura - Sentado (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| Descrição detalhada: | 1.5k, 2k Ohm ±0.1% 50mW Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±0.2ppm/°C 1610 J-Lead (3 Terminals) |
| Tipo de circuito: | Voltage Divider |
| aplicações: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para Y4485V0458BA9W
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash