Y1692V0004BV0L está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para Y1692V0004BV0L, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para Y1692V0004BV0L por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre Y1692V0004BV0L com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
Y1692V0004BV0L
- Modelo do Produto:
- Y1692V0004BV0L
- Fabricante:
- Vishay Precision Group
- Descrição:
- 300190Z 1K/1K B V
- Quantidade em estoque:
- 39000 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- Y1692V0004BV0L.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±0.1% |
| Coeficiente de temperatura: | ±0.2ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 0.575" L x 0.160" W (14.61mm x 4.06mm) |
| Série: | 300191Z |
| Resistência-Ratio-Drift: | ±0.1 ppm/°C |
| Relação de Correspondência do Resistor: | ±0.005% |
| Resistência (Ohms): | 1k |
| Poder por elemento: | 300mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Radial - 3 Leads |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Número de resistores: | 2 |
| Número de pinos: | 3 |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Altura - Sentado (Max): | 0.413" (10.49mm) |
| Descrição detalhada: | 1k Ohm ±0.1% 300mW Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±0.2ppm/°C Radial - 3 Leads |
| Tipo de circuito: | Voltage Divider |
| aplicações: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para Y1692V0004BV0L
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC