Y1521V0227TV0L está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para Y1521V0227TV0L, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para Y1521V0227TV0L por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre Y1521V0227TV0L com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
Y1521V0227TV0L
- Modelo do Produto:
- Y1521V0227TV0L
- Fabricante:
- Vishay Precision Group
- Descrição:
- RES ARRAY 4 RES 350 OHM 8SMD
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 58947 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- Y1521V0227TV0L.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±0.01% |
| Coeficiente de temperatura: | ±2ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 0.520" L x 0.295" W (13.21mm x 7.49mm) |
| Série: | SMNH |
| Resistência-Ratio-Drift: | ±0.5 ppm/°C |
| Relação de Correspondência do Resistor: | ±0.005% |
| Resistência (Ohms): | 350 |
| Poder por elemento: | 100mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | 8-SMD, Gull Wing |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Número de resistores: | 4 |
| Número de pinos: | 8 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 28 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.180" (4.57mm) |
| Descrição detalhada: | 350 Ohm ±0.01% 100mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±2ppm/°C 8-SMD, Gull Wing |
| Tipo de circuito: | Isolated |
| aplicações: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para Y1521V0227TV0L
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash