VS-30EPF12-M3 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para VS-30EPF12-M3, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para VS-30EPF12-M3 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre VS-30EPF12-M3 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
VS-30EPF12-M3
- Modelo do Produto:
- VS-30EPF12-M3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 53008 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- VS-30EPF12-M3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.41V @ 30A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1200V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247AC Modified |
| Velocidade: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-2 |
| Outros nomes: | VS30EPF12M3 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição detalhada: | Diode Standard 1200V 30A Through Hole TO-247AC Modified |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 100µA @ 1200V |
| Atual - rectificada média (Io): | 30A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para VS-30EPF12-M3
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica