VS-10ETF12STRLPBF está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para VS-10ETF12STRLPBF, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para VS-10ETF12STRLPBF por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre VS-10ETF12STRLPBF com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
VS-10ETF12STRLPBF
- Modelo do Produto:
- VS-10ETF12STRLPBF
- Fabricante:
- Descrição:
- DIODE RECT 1200V 10A D2PAK
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 31737 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- VS-10ETF12STRLPBF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Standard |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 10A |
| Tensão - Breakdown: | TO-263AB (D²PAK) |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | - |
| Polarização: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | VS10ETF12STRLPBF |
| Temperatura de Operação - Junção: | 310ns |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | VS-10ETF12STRLPBF |
| Descrição expandida: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| configuração de diodo: | 100µA @ 1200V |
| Descrição: | DIODE RECT 1200V 10A D2PAK |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.33V @ 10A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitância @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para VS-10ETF12STRLPBF
Latest Notícias
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial