VQ1001P-2 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para VQ1001P-2, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para VQ1001P-2 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre VQ1001P-2 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
VQ1001P-2
- Modelo do Produto:
- VQ1001P-2
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 45833 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- VQ1001P-2.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 14-DIP |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | - |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 4 N-Channel |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 830mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para VQ1001P-2
Latest Notícias
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial