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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > VP0109N3-G
VP0109N3-G
Modelo do Produto:
VP0109N3-G
Fabricante:
Micrel / Microchip Technology
Descrição:
MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
24045 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
VP0109N3-G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:5 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):90V
Descrição detalhada:P-Channel 90V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:250mA (Tj)
Email:[email protected]

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