VN5050JTR-E está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para VN5050JTR-E, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para VN5050JTR-E por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre VN5050JTR-E com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
VN5050JTR-E
- Modelo do Produto:
- VN5050JTR-E
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição:
- IC DVR HIGHSIDE AUTO PWRSSO-12
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 34033 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- VN5050JTR-E.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Abastecimento (Vcc / VDD): | Not Required |
| Tensão - Carga: | 4.5 V ~ 36 V |
| Tipo de interruptor: | General Purpose |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerSSO-12™ |
| Série: | VIPower™ |
| Rds On (Tipo): | 50 mOhm (Max) |
| Rácio - Entrada: Saída: | 1:1 |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 12-LSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Tipo de saída: | N-Channel |
| Configuração de saída: | High Side |
| Outros nomes: | 497-11468-2 VN5050JTR-E-ND VN5050JTRE |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Número de saídas: | 1 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interface: | On/Off |
| Tipo de entrada: | Non-Inverting |
| Características: | Auto Restart |
| Proteção contra Falhas: | Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage |
| Atual - Saída (Max): | 13.5A |
| Número da peça base: | VN5050 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para VN5050JTR-E
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga