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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR422200A
UNR422200A
UNR422200A
Modelo do Produto:
UNR422200A
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59934 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
UNR422200A.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:NS-B1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:NS-B1
Outros nomes:UNR422200ATB
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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