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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR32A600L
UNR32A600L
UNR32A600L
Modelo do Produto:
UNR32A600L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
52503 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
UNR32A600L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SSSMini3-F1
Série:-
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:100mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Outros nomes:UNR32A600LCT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:150MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):80mA
Email:[email protected]

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