TSM085N03PQ33 RGG
TSM085N03PQ33 RGG
Modelo do Produto:
TSM085N03PQ33 RGG
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
25759 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TSM085N03PQ33 RGG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PDFN (3x3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max):37W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:TSM085N03PQ33 RGGCT
TSM085N03PQ33 RGGCT-ND
TSM085N03PQ33RGGCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:30 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:817pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 52A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

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