TS5A3359DCUTG4 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para TS5A3359DCUTG4, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para TS5A3359DCUTG4 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre TS5A3359DCUTG4 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
TS5A3359DCUTG4
- Modelo do Produto:
- TS5A3359DCUTG4
- Fabricante:
- TI
- Descrição:
- IC SWITCH SP3T US8
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 42943 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TS5A3359DCUTG4.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Alimentação de tensão, simples (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Tensão de alimentação, Dual (V ±): | - |
| Tempo de comutação (Ton, Toff) (máx.): | 21ns, 10.5ns |
| Circuito de comutação: | SP3T |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | US8 |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Resistência no estado (máx.): | 900 mOhm |
| Número de circuitos: | 1 |
| Circuito Multiplexador / Demultiplexor: | 3:1 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | 1 Circuit IC Switch 3:1 900 mOhm US8 |
| Corrente - Vazamento (IS (desligado)) (Máx.): | 20nA |
| Crosstalk: | -64dB @ 1MHz |
| Injeção de Carga: | 20pC |
| Correspondência canal a canal (ΔRon): | 100 mOhm |
| Capacitação do canal (CS (desligado), CD (desligado)): | 18pF, 54pF |
| Número da peça base: | TS5A3359 |
| -3db Bandwidth: | 75MHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para TS5A3359DCUTG4
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga