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TPS1101DR
- Modelo do Produto:
- TPS1101DR
- Fabricante:
- TI
- Descrição:
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 47851 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TPS1101DR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +2V, -15V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOIC |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 791mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.25nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.7V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 15V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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