TPH14006NH,L1Q
TPH14006NH,L1Q
Modelo do Produto:
TPH14006NH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54313 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TPH14006NH,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta), 32W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPH14006NHL1QDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 14A (Ta) 1.6W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14A (Ta)
Email:[email protected]

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