TL7660IDGKR está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para TL7660IDGKR, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para TL7660IDGKR por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre TL7660IDGKR com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
TL7660IDGKR
- Modelo do Produto:
- TL7660IDGKR
- Fabricante:
- TI
- Descrição:
- IC REG SWITCHD CAP INV 8VSSOP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 20161 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TL7660IDGKR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Voltagem - Saída (Min / Fixa): | -Vin, 2Vin |
| Tensão - Saída (Max): | - |
| Voltage - Input (Min): | 1.5V |
| Voltage - Input (Max): | 10V |
| topologia: | Charge Pump |
| Synchronous Rectifier: | No |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-VSSOP |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Tipo de saída: | Fixed |
| Configuração de saída: | Positive or Negative |
| Outros nomes: | 296-21858-2 TL7660IDGKRG4 TL7660IDGKRG4-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Número de saídas: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Função: | Ratiometric |
| Frequência - Switching: | 10kHz |
| Descrição detalhada: | Charge Pump Switching Regulator IC Positive or Negative Fixed -Vin, 2Vin 1 Output 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Atual - Saída: | - |
| Número da peça base: | TL7660 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para TL7660IDGKR
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga