TK90S06N1L,LQ
Modelo do Produto:
TK90S06N1L,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
53502 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TK90S06N1L,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252-3
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.3 mOhm @ 45A, 10V
Dissipação de energia (Max):157W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:TK90S06N1L,LQ(O
TK90S06N1LLQTR
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5400pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:81nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 90A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Ta)
Email:[email protected]

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