TK17A80W,S4X
TK17A80W,S4X
Modelo do Produto:
TK17A80W,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
57033 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TK17A80W,S4X.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Teste:2050pF @ 300V
Tensão - Breakdown:TO-220SIS
VGS (th) (Max) @ Id:290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:DTMOSIV
Status de RoHS:Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS:17A (Ta)
Polarização:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK17A80W,S4X(S
TK17A80WS4X
Temperatura de operação:150°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:TK17A80W,S4X
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:32nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 850µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:800V
Rácio de capacitância:45W (Tc)
Email:[email protected]

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