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TK11P65W,RQ
- Modelo do Produto:
- TK11P65W,RQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36657 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TK11P65W,RQ.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 450µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK |
| Série: | DTMOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 440 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 100W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | TK11P65W,RQ(S TK11P65WRQTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 300V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 650V 11.1A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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