THAS482M040AD0C está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para THAS482M040AD0C, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para THAS482M040AD0C por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre THAS482M040AD0C com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
THAS482M040AD0C
- Modelo do Produto:
- THAS482M040AD0C
- Fabricante:
- Cornell Dubilier Electronics
- Descrição:
- CAP ALUM 4800UF 20% 40V T/H
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 42757 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- THAS482M040AD0C.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 40V |
| Tolerância: | ±20% |
| Superfície Tamanho Mount Terra: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 2.618" L x 1.000" W (66.50mm x 25.40mm) |
| Série: | THAS |
| Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência: | 3.1A @ 120Hz |
| Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência: | 3.72A @ 20kHz |
| classificações: | - |
| Polarização: | Polar |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | FlatPack |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Lifetime @ Temp.: | 3000 Hrs @ 105°C |
| Espaçamento de condutor: | 0.394" (10.00mm) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.366" (9.30mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 50 mOhm @ 120Hz |
| Descrição detalhada: | 4800µF 40V Aluminum Electrolytic Capacitors FlatPack 50 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C |
| capacidade: | 4800µF |
| aplicações: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para THAS482M040AD0C
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash