TC75S55F,LF está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para TC75S55F,LF, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para TC75S55F,LF por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre TC75S55F,LF com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
TC75S55F,LF
- Modelo do Produto:
- TC75S55F,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- IC OPAMP GP 160KHZ 5SSOP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36652 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TC75S55F,LF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Alimentação de tensão, Single / Dual (±): | 1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V |
| Tensão - decalagem: | 2mV |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SMV |
| Taxa de excursão: | 0.08 V/µs |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-74A, SOT-753 |
| Tipo de saída: | - |
| Outros nomes: | TC75S55F(TE85L) TC75S55F(TE85L,F) TC75S55F(TE85LF)TR TC75S55F(TE85LF)TR-ND TC75S55F,LF(B TC75S55F,LF(T TC75S55FLFTR TC75S55FTE85L TC75S55FTTR TC75S55FTTR-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain Bandwidth Produto: | 160kHz |
| Descrição detalhada: | General Purpose Amplifier 1 Circuit SMV |
| Atual - Fornecimento: | 10µA |
| Atual - Saída / Canal: | 450µA |
| Atual - Input Bias: | 1pA |
| Número da peça base: | TC75S55 |
| Tipo amplificador: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para TC75S55F,LF
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga