T9GV1L14-12 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para T9GV1L14-12, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para T9GV1L14-12 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre T9GV1L14-12 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
T9GV1L14-12
- Modelo do Produto:
- T9GV1L14-12
- Fabricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descrição:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 12V
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 29025 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- T9GV1L14-12.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Turn On Tensão (Max): | 9 VDC |
| Desligar Tensão (Min): | 1.2 VDC |
| Estilo de acabamento: | PC Pin |
| Tensão de comutação: | 480VAC - Max |
| Série: | T9G |
| Time Release: | 22ms |
| Tipo de relé: | General Purpose |
| Embalagem: | Bulk |
| Outros nomes: | 1558661-3 PB2364 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 105°C |
| Tempo de Operação: | 15ms |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | Not Applicable |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 25 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Características: | Insulation - Class B, Sealed - Flux Protection |
| Descrição detalhada: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole |
| Classificação do contato (atual): | 30A |
| material de contato: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| Formulário de Contato: | SPST-NO (1 Form A) |
| Voltagem da bobina: | 12VDC |
| Tipo de bobina: | Non Latching |
| Resistência da bobina: | 160 Ohms |
| bobinas de alimentao: | 900 mW |
| bobina de corrente: | 75.0mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para T9GV1L14-12
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga