SY10EL12ZG está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para SY10EL12ZG, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para SY10EL12ZG por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre SY10EL12ZG com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
SY10EL12ZG
- Modelo do Produto:
- SY10EL12ZG
- Fabricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descrição:
- IC BUF NON-INVERT -5.5V 8SOIC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 53425 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SY10EL12ZG.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | -4.75 V ~ -5.5 V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOIC |
| Série: | 10EL |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo de saída: | Complementary |
| Outros nomes: | 576-2504 SY10EL12ZG-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de Elementos: | 1 |
| Número de bits por elemento: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de lógica: | Buffer, Non-Inverting |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | - |
| Descrição detalhada: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element Complementary Output 8-SOIC |
| Atual - Saída Alto, Baixo: | - |
| Número da peça base: | 10EL12 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SY10EL12ZG
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade