STP11NM60
STP11NM60
Modelo do Produto:
STP11NM60
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
42416 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
STP11NM60.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):160W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:497-2773-5
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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