STL33N65M2
STL33N65M2
Modelo do Produto:
STL33N65M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
36411 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.STL33N65M2.pdf2.STL33N65M2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerFlat™ (8x8) HV
Série:MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:154 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:497-16939-1
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1790pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:41.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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