STF25N10F7 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para STF25N10F7, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para STF25N10F7 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre STF25N10F7 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
STF25N10F7
- Modelo do Produto:
- STF25N10F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 40046 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- STF25N10F7.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220FP |
| Série: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 35 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 25W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 Full Pack |
| Outros nomes: | 497-14553-5 STF25N10F7-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 38 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 920pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 100V 19A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para STF25N10F7
Latest Notícias
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial