STD5NM60-1
STD5NM60-1
Modelo do Produto:
STD5NM60-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
50586 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
STD5NM60-1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-PAK
Série:MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):96W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:497-12786-5
STD5NM60-1-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 5A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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