SN74AS805BDWRG4 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para SN74AS805BDWRG4, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para SN74AS805BDWRG4 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre SN74AS805BDWRG4 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
SN74AS805BDWRG4
- Modelo do Produto:
- SN74AS805BDWRG4
- Fabricante:
- TI
- Descrição:
- IC GATE NOR 6CH 2-INP 20SOIC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 38176 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SN74AS805BDWRG4.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 20-SOIC |
| Série: | 74AS |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Temperatura de operação: | 0°C ~ 70°C |
| Número de Entradas: | 2 |
| Número de circuitos: | 6 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max retardo de propagação @ V, Max CL: | 4.3ns @ 5V, 50pF |
| Tipo de lógica: | NOR Gate |
| Logic - Baixo: | 0.8V |
| Nível de lógica - alta: | 2V |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Características: | - |
| Descrição detalhada: | NOR Gate IC 6 Channel 20-SOIC |
| Atual - Saída Alto, Baixo: | 48mA, 48mA |
| Número da peça base: | 74AS805 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SN74AS805BDWRG4
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC