SMMUN2233LT1G
SMMUN2233LT1G
Modelo do Produto:
SMMUN2233LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
50559 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SMMUN2233LT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:246mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SMMUN2233LT1G-ND
SMMUN2233LT1GOSTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:36 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:MMUN22**L
Email:[email protected]

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