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SIR164DP-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SIR164DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 47806 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SIR164DP-T1-GE3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 3950pF @ 15V |
| Tensão - Breakdown: | PowerPAK® SO-8 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | TrenchFET® |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 50A (Tc) |
| Polarização: | PowerPAK® SO-8 |
| Outros nomes: | SIR164DP-T1-GE3TR SIR164DPT1GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SIR164DP-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 123nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 30V |
| Rácio de capacitância: | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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