SI7925DN-T1-GE3
SI7925DN-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI7925DN-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
50981 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI7925DN-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8 Dual
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power - Max:1.3W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8 Dual
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.8A
Email:[email protected]

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