SI5935DC-T1-E3
SI5935DC-T1-E3
Modelo do Produto:
SI5935DC-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
31768 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI5935DC-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:1206-8 ChipFET™
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:86 mOhm @ 3A, 4.5V
Power - Max:1.1W
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:SI5935DC-T1-E3DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A
Número da peça base:SI5935
Email:[email protected]

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