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SI4890DY-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI4890DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 47022 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SI4890DY-T1-GE3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.5W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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